FDD86250 AÇIK
Mevcut
FDD86250 AÇIK
Özellik
Korumalı Kapı MOSFET Teknolojisi
Vcs'de maksimum rD(açık)= 22 ay = 10 V, lp= 8AMax 「os(açık)= Vcs = 6 V'de 31 m, lp=6.5A100% UIL test edildi
RoHS Uyumlu
Genel açıklama
Bu N-Kanal MOSFET, Korumalı Kapı teknolojisini içeren FairchildSemiconductorsadvanced PowerTrenchprocess kullanılarak üretilir. Bu işlem, durum direnci için optimize edilmiştir ve yine de üstün anahtarlama performansını korur.
Özellik
Korumalı Kapı MOSFET Teknolojisi
Vcs'de maksimum rD(açık)= 22 ay = 10 V, lp= 8AMax 「os(açık)= Vcs = 6 V'de 31 m, lp=6.5A100% UIL test edildi
RoHS Uyumlu
Genel açıklama
Bu N-Kanal MOSFET, Korumalı Kapı teknolojisini içeren FairchildSemiconductorsadvanced PowerTrenchprocess kullanılarak üretilir. Bu işlem, durum direnci için optimize edilmiştir ve yine de üstün anahtarlama performansını korur.
Lütfen iletişim bilgilerinizin doğru olduğundan emin olunuz. Sizin Mesaj olacak doğrudan alıcı(lar)a gönderilecek ve herkese açık olarak gösterilebilir. Asla dağıtmayacağız veya satmayacağız. Kişisel olmadan üçüncü şahıslara bilgi açık izniniz.